MDCCT多重动态交错比对技术
自主研发核心测试技术，大幅提升存储芯片测试检出率
MDCCT多重动态交错比对测试技术，通过动态压力环境控制、芯片内交错比对和跨芯片差异化分析三大机制提升测试质量
MDCCT多重动态交错比对存储芯片测试技术
技术概述
MDCCT（Multiple Dynamic Cross-Comparison Testing，多重动态交错比对测试）是佑存自主研发的核心测试技术。 该技术通过构建多维度动态压力测试环境，结合芯片内交错比对与跨芯片差异化分析机制， 实现对存储芯片的高精度、高覆盖率测试。
三大核心原理
1
动态压力环境控制
Dynamic Stress Environment
通过DVS动态电压调节与精确温度控制，构建多维度测试压力环境。电压调节精度可达mV级别，温度控制范围覆盖宽温区间，确保在不同工况下对芯片进行全面测试。
在约定范围内进行静态拉偏、阶跃变化和动态扰动，观察电压与温度变化下的读写稳定性及参数漂移。
2
芯片内交错比对
Intra-Die Cross-Reference
对芯片内部数据进行交错比对分析，通过多重比对机制识别潜在缺陷。该方法能够有效发现传统测试方法难以检出的边际缺陷，提升测试覆盖率。
对比不同 Bank、地址区域的访问延迟、刷新特性与数据保持表现，定位局部异常。
3
跨芯片差异化分析
Inter-Die Differentiation
实现跨芯片的差异化质量评估，通过对比分析不同芯片的测试数据，识别异常模式和批次差异，为品质分级和筛选提供数据支撑。
对同批次器件的性能和测试数据建立分布，结合 SPC 统计与异常复核，为批次评估和性能分级提供依据。
测试流程
1
测试配置确认
→
2
基础功能验证
→
3
动态压力测试
→
4
芯片内与跨芯片分析
→
5
系统验证与报告
MDCCT与传统测试对比
| 对比维度 | 传统测试方法 | MDCCT技术 |
|---|---|---|
| 测试压力环境 | 固定电压/温度 | 动态多维度压力环境 |
| 比对方式 | 单次比对 | 多重交错比对 |
| 缺陷检出 | 常规检出 | 边际缺陷识别能力提升 |
| 数据分析 | 单芯片分析 | 跨芯片差异化分析 |
| 测试覆盖 | 标准覆盖 | 高覆盖率 |
应用价值
质量提升
- 提升缺陷检出率
- 降低逃逸率
- 增强产品可靠性
效率提升
- 大规模并行测试
- 缩短测试周期
- 降低测试成本
数据价值
- 全流程数据记录
- 多维度数据分析
- 支持质量追溯