
晶圆级测试 CP Test
早发现、早筛选——在晶圆阶段识别不良Die,降低后续封装成本
晶圆级测试CP Test,在晶圆阶段进行电性参数测试、功能测试、冗余修复分析和温度拉偏测试
CP测试晶圆测试Wafer Test存储芯片测试
测试原理与价值
晶圆级测试(CP Test,Circuit Probing Test)是在晶圆制造完成后、封装前进行的电性测试。 通过对每个Die进行逐一测试,在早期阶段识别不良品,避免将已知不良的Die流入后续封装环节, 有效降低封装成本浪费。
CP测试的核心价值在于"早发现、早筛选"——在晶圆阶段即完成对每个Die的功能与性能验证, 为后续封装和成品测试提供数据基础。
支持晶圆尺寸
6英寸8英寸12英寸
⚠️ 具体支持尺寸发布前需公司确认
核心测试内容
DC参数测试
验证芯片的直流电性参数,确保基本电性符合规格
功能测试
验证芯片的逻辑功能是否正确,覆盖主要功能模块
冗余修复分析
对冗余单元进行分析与修复,提升良率
温度拉偏测试
在不同温度条件下测试芯片性能,筛选温度敏感缺陷
⚠️ 具体温度参数发布前需公司确认